英飞凌科技公司利用新的1200V CoolSiC MOSFET功率模块扩展了其碳化硅（SiC）MOSFET系列。这些MOSFET利用SiC的特性在高开关频率下以高功率密度和效率工作。英飞凌声称，由于其较低的开关损耗，这些MOSFET在逆变器设计中的效率可能超过99％。该特性极大地降低了UPS和其他储能设计等快速切换应用中的运营成本。
MOSFET电源模块采用Easy 2B封装，具有低杂散电感。新器件通过将每个开关的导通电阻（R DS（ON））降至仅6mΩ，从而扩大了半桥拓扑中模块的功率范围， 使其非常适合构建四和六封装拓扑。此外，该MOSFET在1200V开关中具有最低的栅极电荷和器件电容水平，没有反并联二极管的反向恢复损耗，与温度无关的低开关损耗以及无阈值导通状态特性。 MOSFET上集成的体二极管无需外部二极管即可提供低损耗续流功能，并且集成的NTC温度传感器还监视器件的故障保护。
这些MOSFET的目标应用是光伏逆变器，电池充电和能量存储。由于其最佳的性能，可靠性和易用性，它使系统设计人员可以利用前所未有的效率和系统灵活性。现在可以购买英飞凌Easy 2B CoolSiC MOSFET，您可以访问其网站以获取更多信息。