Vishay Intertechnology，Inc.推出了其名为SiHH068N650E的新型第四代N沟道MOSFET 。这款600V E系列Mosfet具有非常低的漏极源极导通电阻，使其成为业界最低的栅极充电时间导通电阻器件，这为MOSFET提供了高效率，适用于电信，工业和企业电源应用。
SiHH068N60E在10 V时典型的导通电阻很低，仅为0.059Ω，栅极电荷低至53 nC，超低。器件的FOM为3.1Ω* nC，以改善开关性能，SiHH068N60E提供的有效输出电容C o（er） 和C o（tr）分别 为94 pf和591 pF。这些值可降低传导和开关损耗，从而节省能源。
SiHH068N60E的主要特点：
- N沟道MOSFET
- 漏源电压（V DS）：600V
- 栅极源电压（V GS）：30V
- 栅极阈值电压（V gth）：3V
- 最大漏极电流：34A
- 漏源电阻（R DS）：0.068Ω
- 10V时的Qg：53nC
该MOSFET采用PowerPAK 8×8封装，该封装符合RoHS要求，不含卤素，旨在承受雪崩模式下的过电压瞬变。SiHH068N60E的样品和量产批量现已开始供应，供货周期为10周。您可以访问他们的网站以获取更多信息。