Vishay Intertechnology，Inc.推出了针对标准栅极驱动进行了优化的新型60V TrenchFET Gen IV n沟道功率MOSFET，采用耐热增强型3.3mm x 3.3mmPowerPAK®1212-8S封装，可在10V时提供低至4mΩ的最大导通电阻。 Vishay Siliconix SiSS22DN旨在提高开关拓扑结构的功率密度和效率，具有22.5 nC的低栅极电荷和低输出电荷（QOSS）。 SiSS22DN带有增强的阈值栅极电源V GS（th）和米勒高原电压，与逻辑电平60 V器件不同，因此MOSFET提供了优化的动态特性，可实现短死区时间并防止同步整流器应用中的直通。
在SiSS22DN MOSFET的导通电阻设有尽可能低的4.8％和Q OSS 34.2 NC提供最好在q类OSS次导通电阻。该器件采用6mm x 5mm封装，节省了65％的PCB空间，并实现了更高的功率密度。SiSS22DN具有经过微调的规格，可同时减少导通和开关损耗，从而提高效率，这种效率可在多个电源管理系统构建模块中实现，包括DC / DC和AC / DC拓扑中的同步整流；降压-升压转换器中的半桥MOSFET功率级，DC / DC转换器中的初级侧开关以及电信和服务器电源中的OR-ing功能；电池管理模块中的电池保护和充电；以及工业设备和电动工具中的电机驱动控制和电路保护。
SiSS22DN MOSFET的特点：
- TrenchFET®Gen IV功率MOSFET
- RDS非常低-Qg品质因数（FOM）
- 调整为最低的RDS-Qoss FOM
SiSS22DN MOSFET经过100％RG和UIS测试，无卤素且符合RoHS要求。它采用PowerPAK 1212-8S封装，并且现已提供样品以及量产，交货时间为30周，取决于市场情况。