德州仪器（TI）通过下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）扩展了其高压电源管理设备的产品组合。与现有解决方案相比，该快速开关和2.2MHz集成式栅极驱动器使该器件可提供两倍的功率密度，达到99％的效率，并将功率磁器件的尺寸减小59％。
与现有的Si或SiC解决方案相比，新型GaN FET可以将电动汽车（EV）车载充电器 和DC / DC转换器的尺寸减少多达50％，因此工程师可以实现更大的电池范围，更高的系统可靠性以及更低的成本设计成本。
在工业AC / DC供电应用中，例如超大规模，企业计算平台和5G电信整流器，GaN FET可以实现高效率和功率密度。GaN FET展示了诸如快速开关驱动器，内部保护和温度感应等功能，使设计人员能够在减小的电路板空间中实现高性能。
为了减少快速开关期间的功率损耗，新型GaN FET具有理想的二极管模式，这也消除了对自适应空载时间控制的需求，最终降低了固件的复杂性和开发时间。该器件的热阻比最接近的竞争对手低23％，尽管使用了该器件，但仍可提供最大的热设计灵活性。
新型工业级600V GaN FET采用12mm x 12mm四方扁平无铅（QFN）封装，可在公司网站上购买，价格范围从199美元起。