意法半导体（ST）开发了一种新模块PWD13F60，可节省材料成本，减小尺寸（13 * 11mm），并包含额定电压为600v / 8A的全桥MOSFET，在电机驱动器，镇流器，转换器和逆变器中的电路板空间较小。
与使用不同组件构建的可比电路相比，这种组件可提高最终应用的功率密度，而且尺寸小60％。通过集成四个功率MOSFET，它提供了市场上其他模块的独特高效替代方案，这些模块通常是双FET半桥或六FET三相器件。作为这些选择的替代，我们只能使用一个PWD13F60来实现单相全桥，而无需使用任何MOSFET。该模块还可以用作单个全桥，也可以用作两个半桥。
利用ST的高压BCD6s-离线制造工艺，PWD13F60集成了功率MOSFET的栅极驱动器和高端驱动所需的自举二极管，从而简化了电路板设计，并通过减少了外部组件来简化组装。为了降低电磁干扰（EMI）和可靠切换，对栅极驱动器进行了优化。该模块还具有交叉导通保护和欠压锁定功能，有助于进一步减小占地面积，同时确保系统安全。
它的电源电压范围为6.5v，该功能还通过简化的设计提高了模块的灵活性。Sip输入还可以接受3.3v至15v范围内的逻辑信号，以便轻松与微控制器（MCU），数字信号处理器（DSP）或霍尔传感器接口。
现在提供具有热效率的多岛VFQFPN封装。PWD13F60订购100片时的价格为2.65美元。
有关更多信息，请访问www.st.com/pwd13f60-pr。
资料来源： 意法半导体