英飞凌科技公司推出了600V CoolMOS S7产品系列，以在MOSFET低频开关的应用中提高功率密度和能效。开发该产品系列是为了最大程度地减少传导损耗，并确保最快的响应时间，并提高低频开关应用的效率。 与CoolMOS 7相比，CoolMOS S7器件提供的R DS（on） x A少得多，这可以在权衡开关损耗方面取得成功，从而降低导通电阻并降低成本。
600V CoolMOS S7产品系列的功能
- SMD封装中的同类最佳R DS（上）
- 最佳超级结MOSFET RDS（on）
- 针对传导性能进行了优化
- 耐热性提高
- 高脉冲电流能力
- 交流线路换向时体二极管的坚固性
这些器件旨在将10mΩ芯片安装到创新的顶部冷却QDPAK中，并将22mΩ芯片安装到最新的小型TO-TOless（TOLL）SMD封装中。这些MOSFET可实现经济高效，简单，紧凑和模块化的高效设计，因此可用于有源桥式整流，逆变器级，PLC，功率固态继电器和固态断路器的应用中。
系统可以轻松满足法规和能效认证标准（例如，SMPS的钛金属），并满足功率预算并减少零件数量，散热片和总拥有成本（TCO）。