Diodes Incorporated今天发布了采用SO-8封装的半桥和高端/低端拓扑栅极驱动器。这些栅极驱动器将专注于转换器，逆变器，电机控制和D类功率放大器应用的高压，高速应用。这些器件将提供结隔离型电平转换技术，以创建一个浮动通道高端驱动器，用于高达200V的自举拓扑。它还具有驱动半桥配置的两个通道MOSFET的能力。除此之外，所有器件均具有带施密特触发器的标准TTL / CMOS逻辑输入，并能在低至3.3V的电压下工作。
三种DGD2003S8，DGD2005S8和DGD2012S8将适用于最高100V的电机驱动应用。该器件非常适合同时支持200V工作的电源转换和逆变应用。这些器件的输出将能够承受负瞬态，并且包括用于高端和低端驱动器的欠压锁定功能。这些功能使其适用于许多消费类和工业设计，包括电动工具，机器人，小型车辆和无人机。
在整个范围内保持功率效率的情况下，该功能包括DGD2003S8和DGD2005S8的源电流和灌电流分别为290mA和600mA，DGD2012S8的源电流和灌电流分别为1.9A和2.3A。在高端和低端之间切换时，DGD2005S8的最大传播时间为30ns，而DGD2003S8的内部死区时间固定为420ns。的温度范围内的额定工作温度范围为-40 0 ℃至125 0 C.
DGD2003S8，DGD2005S8和DGD2012S8采用SO-8封装。