Nexperia推出了一系列新的GaN FET器件，这些器件包括采用TO-247和CCPAK表面贴装的下一代高压Gan HeMT H2技术。氮化镓技术采用直通通孔来减少缺陷并将芯片尺寸缩小至24％。TO-247封装在高阈值电压和低二极管正向电压的情况下将R DS（on） 降低了41mΩ（在25°C时最大35mΩ类型）。而CCPAK表面贴装封装将进一步将RDS（on）降至39mΩ（在25°C下，典型值最大为33mΩ）。
该器件可配置为级联器件，因此只需使用标准Si MOSFET即可驱动该器件。CCPAK表面贴装封装采用Nexperia的创新铜夹封装技术代替内部键合线，这还减少了寄生损耗，优化了电气和热性能，并提高了可靠性。CCPAK GaN FET具有顶部或底部冷却配置，以改善散热。
两种版本均满足AEC-Q101对汽车应用的要求，其他应用包括车载充电器，电动汽车中的DC / DC转换器和牵引逆变器以及适用于钛级机架安装的1.5-5 kW范围的工业电源电信，5G和数据中心。