英飞凌的CoolGaN高电子迁移率晶体管（HEMT）有助于半导体电源中的高速开关。这些高效晶体管同时适用于硬开关和软开关拓扑，因此非常适合诸如无线充电，开关电源（SMPS），电信，超大规模数据中心和服务器等应用。这些晶体管现在可从Mouser Electronics购买。
与硅晶体管相比，HEMT的输出电荷和栅极电荷低10倍，击穿场高10倍，迁移率提高了一倍。这些器件针对导通和关断进行了优化，具有新的拓扑和电流调制功能，可提供创新的开关解决方案。 HEMT的表面贴装包装确保了开关功能完全可用，而设备的紧凑设计使其可以在各种有限空间的应用中使用。
EVAL_1EDF_G1_HB_GAN和EVAL_2500W_PFC_G评估平台支持英飞凌的CoolGaN氮化镓HEMT。EVAL_1EDF_G1_HB_GAN板具有CoolGaN 600 V HEMT和Infineon GaN EiceDRIVE栅极驱动器IC，使工程师能够评估用于转换器和逆变器应用的通用半桥拓扑中的高频GaN功能。EVAL_2500W_PFC_G板包含CoolGaN 600V e-mode HEMT，CoolMOS™C7金超结MOSFET和EiceDRIVER栅极驱动器IC，可提供2.5 kW全桥功率因数校正（PFC）评估工具，可将系统效率提高到99％以上，关键应用，例如SMPS和电信整流器。
要了解更多信息，请访问www.mouser.com/infineon-coolgan-hemts。