意法半导体已经发布了MasterGaN2，这是一种采用9mm x 9mm x 1mm GQFN小型封装的非对称半桥功率GaN晶体管对。这款新器件包括驱动器和保护电路，并提供适用于软开关和有源整流转换器拓扑的集成GaN解决方案。集成功率甘斯具有650 V漏-源极击穿电压，R和DS（ON） 的150毫欧和225毫欧分别用于低侧和高侧。
MasterGaN2在上下驱动部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免交叉传导条件。输入引脚扩展了范围，可轻松与微控制器，DSP单元或霍尔效应传感器接口。该器件在-40°C至125°C的工业温度范围内工作。它采用紧凑的9x9 mm QFN封装。内置保护包括低侧和高侧欠压锁定（UVLO），栅极驱动器互锁，专用停机引脚和过热保护。
这两个晶体管与优化的栅极驱动器结合在一起，使GaN技术像普通硅器件一样易于使用。通过将先进的集成与GaN固有的性能优势相结合，MasterGaN2进一步扩展了效率提高，尺寸减小和重量减轻的拓扑结构，例如有源钳位反激。
MasterGaN2的主要功能
- 600 V系统级封装，集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管
- RDS（开）= 150mΩ（LS）+ 225mΩ（HS）
- IDS（最大）= 10 A（LS）+ 6.5 A（HS）
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 低端和高端的UVLO保护
- 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入
- 专用引脚用于关闭功能
MasterGaN2现已开始生产，订购1,000片的起价为6.50美元。