罗姆宣布开发1700V / 250A额定功率的SiC电源模块，该模块可提供高可靠性，特别适用于逆变器和转换器应用，例如室外发电系统和工业大功率电源
近年来，由于其节能优势，SiC在电动汽车和工业设备等1200V应用中得到了越来越多的采用。更高功率密度的趋势导致更高的系统电压，从而增加了对1700V产品的需求。但是，很难实现所需的可靠性，因此IGBT通常首选用于1700V应用。作为响应，罗姆在保持其受欢迎的1200V SiC产品的节能性能的同时，能够在1700V时达到高可靠性，从而实现了世界上首次成功将1700V额定SiC电源模块商业化。
所述 BSM250D17P2E004 利用新的施工方法和涂覆材料，以防止漏电流的介电击穿和抑制增加。结果，实现了即使在高温高湿偏压测试（HV-H3TRB）下1,000小时后仍能防止电介质击穿的高可靠性。这样即使在严峻的温度和湿度环境下也可确保高压（1700V）操作。
通过将ROHM久经考验的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管集成到同一模块中，并优化内部结构，与同类SiC产品相比，可以将导通电阻降低10％。在任何应用中，这都可以改善节能效果并减少散热。
主要特征
1.在高温高湿环境下达到最高的可靠性水平
最新的1700V模块引入了一种新的封装方法和用于保护芯片的涂层材料，从而使1700V SiC模块首次成功商业化并通过了HV-H3TRB可靠性测试。
例如，在高温高湿测试过程中，即使在85°C和85％的湿度下将1,360V电压施加超过1000小时，BSM250D17P2E004也表现出卓越的可靠性，并且没有故障，而传统的IGBT模块通常会由于电介质而在1000小时内发生故障分解。为了确保最高的可靠性，罗姆公司以最高的阻断电压1700V在不同的时间间隔测试了模块的泄漏电流。
2.出色的导通电阻有助于节省更多能源
在同一个模块中结合使用ROHM的SiC肖特基势垒二极管和MOSFET，与同类产品相比，可以将导通电阻降低10％，从而有助于节省能源。
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零件号 |
绝对最大额定值（Ta =25ºC） |
电感量（nH） |
包 （毫米） |
热敏电阻 |
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VDSS（V） |
VGS（伏） |
身份证（A） |
最大Tj（ºC） |
总温度（ºC） |
溶胶（V） |
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BSM080D12P2C008 |
1200 |
-6至22 |
80 |
175 |
-40至125 |
2500 |
25 |
C型 45.6 x 122 x 17 |
不适用 |
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BSM120D12P2C005 |
120 |
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BSM180D12P3C007 |
-4至22 |
180 |
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BSM180D12P2E002 |
-6至22 |
180 |
13 |
E型 62 x 152 x 17 |
是 |
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BSM300D12P2E001 |
300 |
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BSM400D12P3G002 |
-4至22 |
400 |
10 |
G型 62 x 152 x 17 |
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BSM600D12P3G001 |
600 |
||||||||
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BSM250D17P2E004 |
1700 |
-6至22 |
250 |
3400 |
13 |
E型 62 x 152 x 17 |