8月，东芝开始批量生产和装运用于汽车应用的40V N沟道功率MOSFET- “ TPWR7904PB ”和“ TPW1R104PB ”。它们将以DSOP Advance（WF）封装提供，该封装带有双面冷却，低电阻和小尺寸。
通过将具有最新沟槽结构的U-MOS IX-H系列芯片安装到DSOP Advance（WF）封装中，功率MOSFET可确保高散热和低导通电阻特性。它使传导损耗产生的热量得以有效消散，从而提高了热设计的灵活性。
与东芝先前的U-MOS IV系列相比，U-MOS IX-H系列MOSFET还具有更低的开关噪声，从而有助于降低EMI。DSOP Advance（WF）封装具有可润湿的侧面端子结构。
这些设备符合AEC-Q101的要求，因此适用于汽车应用；并具有诸如带有顶板和排水管的双面冷却组件，由于可润湿的侧面结构而提高了AOI可见性以及低导通电阻和低噪声特性的功能。它们可用于电动转向，负载开关和电动泵等汽车应用。
主要规格（@T a = 25℃）
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零件号 |
绝对最大额定值 |
漏源导通电阻 R DS（ON） max（mΩ） |
栅极-源极之间的内置齐纳二极管 |
系列 |
包 |
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漏极电压V DSS （V） |
漏极电流（DC）I D （A） |
@V GS＝ 6V |
@V GS = 10V |
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TPWR7904PB |
40 |
150 |
1.3 |
0.79 |
没有 |
U-MOS IX-H |
DSOP进阶（WF）L |
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TPW1R104PB |
120 |
1.96 |
1.14 |
DSOP高级（WF）M |