Vishay Intertechnology，Inc.推出了新型Siliconix SiR626DP N沟道60V TrenchFET Gen IV MOSFET，采用6.15mm X 5.15mm PowerPAK SO-8单封装。Vishay Siliconix SiR626DP的导通电阻比以前的版本低36％。它结合了低至1.7mW的最大导通电阻和10V时52nC的超低栅极电荷。它还包括68nC的输出电荷和992pF的C OSS，比以前的版本低69％。
该SiR626DP具有非常低的RDS（漏源上电阻），这增加在应用效率如同步整流，初级和第二侧开关，DC / DC转换器，太阳能微转换器和电机驱动器开关。该封装不含铅（Pb）和100％R G的无卤素。
主要功能包括：
- 电压DS：60V
- 电压GS：20V
- 10V时的R DS（ON）：0.0017欧姆
- 7.5V时的R DS（ON）：0.002欧姆
- 6V时的R DS（ON）：0.0026欧姆
- 10V时的Q g：68 nC
- Q gs：21 nC
- 温度gd：8.2 nC
- 我d最大。：100安
- P D最大 ：104瓦
- V GS（th）：2 V
- R g类型。：0.91欧姆
可提供SiR626DP的样品，并根据市场情况提供量产，交货期为30周。