为了满足对高压MOSFET不断增长的需求，英飞凌科技推出了CoolMOS™P7系列的新成员，即950V CoolMOS P7超结MOSFET，可满足照明，智能电表，移动充电器，笔记本适配器， AUX电源和工业SMPS应用。这种新的半导体解决方案提供了出色的散热和效率性能，同时降低了BOM和总体生产成本。
950V CoolMOS P7提供出色的DPAK R DS（on）， 可实现更高密度的设计。此外，出色的V GS（th） 和最低的V GS（th） 容差使MOSFET易于驱动和设计。与英飞凌业界领先的P7系列的其他成员相似，它具有集成的齐纳二极管ESD保护，可提高组装良率，从而降低成本，并减少与ESD相关的生产问题。
950 V CoolMOS P7可使效率提高高达1％，MOSFET温度从2 temperaturesC降低到10˚C，从而实现了更高效的设计。除此之外，与前几代CoolMOS系列相比，它的开关损耗降低了58％。与市场上的竞争技术相比，改进幅度超过50％。
950 V CoolMOS P7采用TO-220 FullPAK，TO-251 IPAK LL，TO-252 DPAK和SOT-223包装。这样就可以从THD更改为SMD设备。