瑞萨电子公司（Renesas Electronics Corporation ）向RE01系列嵌入式控制器引入了一个新的256 KB闪存变体，其中包括1.5 MB闪存嵌入式控制器。新型超低功耗控制器基于突破性的薄层硅氧化物（SOTB）工艺技术而设计，并围绕Arm Cortex-M0 +内核构建。SOTB工艺技术极大地降低了活动和待机电流消耗，使其成为EEMBC ULPMark认证的设备，CoreProfile（CP）得分为705。
新的控制器在运行期间的电流消耗低至25μA/ MHz，在待机状态下的电流消耗低至400nA，客户还可以通过使用瑞萨的超低Iq ISL9123作为外部降压稳压器将工作电流消耗进一步降低至12μA/ MHz。 。
新RE01组R7F0E01182xxx的功能
- 256 KB闪存和128 KB SRAM
- 软件待机：400 nA
- 工作电压范围：1.62V-3.6V，1.62V时高达64 MHz的高速运行
- 支持大约0.6 mA的电源上的闪存编程
- 带有实时时钟（RTC），在1.8Vss下工作380 nA的深度待机
256KB控制器采用3.16mm x 2.88mm LBGA封装，并经过优化，可用于IoT设备中用于传感器控制的IoT设备中更紧凑的产品设计，适用于诸如智能家居，智能建筑，环境感应，结构监控，跟踪器等应用以及可穿戴设备。
新设备极大地延长了嵌入式设备的电池寿命，并且即使需要由电流输出很小的紧凑型电池或能量收集设备供电，也能够在需要多个传感器进行实时数据处理的应用中实现高速操作。EK-RE01 256 KB评估套件可与用户系统结合使用，以评估包括能量收集系统在内的所有外围功能。