STMicroelectronics VIPer26K高压转换器集成了1050V雪崩耐用的N沟道功率MOSFET，使离线电源能够将宽输入电压范围与简化设计的优点结合在一起
VIPer26K MOSFET的极高额定电压消除了对常规堆叠FET和相关无源元件的需求，以实现类似的电压能力，并且可以采用更小的外部缓冲元件。内置漏极电流限制保护，MOSFET包括用于过热保护的enseFET连接。
凭借高压启动电路，内置误差放大器和均集成在芯片上的电流模式PWM控制器，VIPER26K可支持所有常见的开关模式电源拓扑，包括具有次级侧或初级侧的隔离反激式稳压，具有电阻反馈，降压和降压-升压转换器的非隔离反激式。
市场上最高的MOSFET击穿电压，以及完整的集成功能和最少的外部电路，使设计人员可以节省材料清单成本和电路板空间，同时提高诸如1相和3相智能能源电源等应用的可靠性电表，三相工业系统，空调和LED照明。
其他好处包括内部固定的60kHz频率开关，±4kHz抖动，并在导通和关断期间控制MOSFET栅极电流，以最大程度地降低开关噪声发射。高功率转换效率和低于30mW的空载功耗有助于实现高能效等级和严格的生态设计认证。
VIPer26K现已开始生产，采用SO-16N封装，千片批购价为0.64美元。请访问www.st.com/viper26k-pr了解更多信息。