瑞萨电子释放ISL71043M塑料封装的耐辐射PWM控制器和ISL71040M氮化镓（GaN）FET驱动器为DC / DC电源在小型卫星（小卫星）和升aunch车辆。ISL71043M是单端电流模式PWM控制器，而ISL71040M是低侧GaN FET驱动器，为大型卫星小规模提供尺寸和成本优化的电源解决方案。除此之外，该器件非常适合隔离式反激和半桥功率级，以及卫星总线和有效载荷中的电机控制驱动器电路。
该PWM控制器ISL71043M和氮化镓FET驱动器ISL71040M可以与ISL73024SEH 200V GaN FET或ISL73023SEH 100V GaN FET以及ISL71610M无源输入数字隔离器集成在一起，以形成各种功率级配置。两种器件都经过了针对单事件效应（SEE）的特性测试，线性能量传输（LET）为43 MeV.cm2 / mg，总电离剂量（TID）高达30 krads（Si），扩展的温度范围为- 55°C至+ 125°C。与竞争对手的陶瓷封装相比，ISL71043M PWM控制器仅采用4mm x 5mm的小尺寸SOIC塑料封装，可将PCB面积减小多达3倍，而ISL71040M可在隔离的拓扑结构中安全驱动瑞萨电子的抗辐射型GaN FET，并具有浮置保护的升压型配置消除意外切换的电路。
ISL71043M PWM控制器的主要功能
- 9V至13.2V的工作电源范围
- 5.5mA（最大）工作电源电流
- ±3％电流极限阈值
- 集成式1A MOSFET栅极驱动器
- 输出负载为1nF时上升和下降时间为35ns
- 1.5MHz带宽误差放大器
ISL71040M低侧GaN FET驱动器的关键特性
- 工作电源范围为4.5V至13.2V
- 内部4.5V稳压栅极驱动电压
- 独立输出调整上升和下降时间
- 高3A / 2.8A灌/拉能力
- 输出负载为1nF时上升时间为4.3ns /下降时间为3.7ns
- 栅极驱动器上的内部欠压锁定（UVLO）
ISL71043M耐辐射PWM控制器采用8引线4mm x 5mm SOIC封装，而ISL71040M耐辐射低侧GaN FET驱动器采用8引线4mm x 4mm TDFN封装，并且现已供货。