新加坡麻省理工学院研究与技术联盟（SMART）的低能耗电子系统（LEES）的研究人员已成功开发出一种新型的半导体芯片，与现有方法相比，该芯片可以以更具商业可行性的方式进行开发。尽管半导体芯片是有史以来制造最多的设备之一，但生产下一代芯片的公司的成本越来越高。新的集成式Silicon III-V芯片利用现有的200mm制造基础架构来创建将传统Silicon与III-V器件相结合的新芯片，这将节省数百亿的行业投资。
此外，集成的Silicon III-V芯片将有助于克服5G移动技术的潜在问题。当今市场上的大多数5G设备在使用时会变得很热，并在一段时间后趋于关闭，但是SMART的新型集成芯片不仅将实现智能照明和显示，而且还将显着减少5G设备的发热。这些集成的Silicon III-V芯片预计将于2020年上市。
SMART专注于为像素化照明/显示和5G市场创建新芯片，这些市场的潜在市场合计超过$ 100B USD。SMART的新型集成式Silicon III-V芯片将破坏的其他市场包括可穿戴式微型显示器，虚拟现实应用程序和其他成像技术。该专利组合已由New Silicon Corporation Pte独家许可。Ltd.（NSC）是SMART在新加坡的子公司。NSC是第一家拥有专有材料，工艺，设备和设计的单片集成硅III-V电路的无晶圆硅集成电路公司。