- 全球首个将Si驱动器和GaN功率晶体管集成在一个封装中的解决方案
- 与普通的硅基解决方案相比，充电器和适配器的体积缩小了80％，重量减轻了70％，充电速度提高了3倍
意法半导体已经推出了一个平台，该平台嵌入了基于硅技术的半桥驱动器以及一对氮化镓（GaN）晶体管。两家公司的合并将加速为功率高达400W的消费和工业应用创建下一代紧凑高效的充电器和电源适配器。
GaN技术使这些设备变得更小，更轻巧，更节能，从而能够处理更多功率。与普通的硅基解决方案相比，它使充电器和适配器的体积缩小了80％，重量减轻了70％，而充电速度却提高了3倍。这些改进将为智能手机超快速充电器和无线充电器，用于PC和游戏的USB-PD紧凑型适配器以及太阳能存储系统，不间断电源或高端OLED电视等工业应用带来变化。服务器云。
当今的GaN市场通常由分立的功率晶体管和驱动器IC服务，要求设计人员学习如何使它们协同工作以实现最佳性能。意法半导体的MasterGaN方法绕过了这一挑战，从而缩短了产品上市时间，并确保了性能，同时占用的空间更小，装配更简化，部件更少，可靠性更高。凭借GaN技术和ST集成产品的优势，充电器和适配器可将普通硅基解决方案的尺寸减小80％，重量减少70％。
意法半导体（ST）推出了具有MasterGaN1的新平台，该平台包含两个GaN功率晶体管，作为半桥连接，并集成了高端和低端驱动器。
MasterGaN1现已投入生产，采用9mm x 9mm GQFN封装，仅高1mm。千片批购价为$ 7。还提供评估板来帮助启动客户的电力项目。
更多技术信息
MasterGaN平台利用STDRIVE 600V栅极驱动器和GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。9mm x 9mm的薄型GQFN封装可确保高功率密度，专为高压板和低压板之间的爬电距离超过2mm的高压应用而设计。
该系列器件将跨越不同的GaN晶体管尺寸（RDS（ON）），并将以引脚兼容的半桥产品的形式提供，使工程师能够以最少的硬件改动来扩展成功的设计。凭借GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复的特性，该产品在高端，高效率拓扑结构（例如具有有源钳位，谐振，无桥图腾的反激或前向）中提供了卓越的效率和整体性能增强极PFC（功率因数校正器）以及AC / DC和DC / DC转换器以及DC / AC逆变器中使用的其他软开关和硬开关拓扑。
MasterGaN1包含两个常关晶体管，这些晶体管具有紧密匹配的时序参数，最大额定电流为10A和150mΩ导通电阻（RDS（ON））。逻辑输入与3.3V至15V的信号兼容。还内置了全面的保护功能，包括低端和高端UVLO保护，互锁，专用的停机引脚和过热保护。