东芝宣布了一系列新的下一代650V功率MOSFET，旨在用于数据中心，太阳能（PV）功率调节器，不间断电源系统（UPS）和其他工业应用中的服务器电源。
DTMOS VI系列中的第一个功率MOSFET是650V TK040N65Z，它在脉冲（I DP）时支持高达57A和228A的连续漏极电流（I D）。为了减少电源应用中的损耗，它提供了 0.04Ω（典型值为0.033Ω ）的超低漏源导通电阻R DS（ON），由于其降低了功耗，因此适合用于现代高速电源。设计中的电容。
关键性能指标/品质因数（FoM）– R DS（ON） x Q gd的降低提高了应用中的电源效率。TK040N65Z在这一重要指标上比以前的DTMOS IV-H器件提高了40％，这在2.5kW PFC电路中测得的电源效率显着提高了0.36％。
应用领域
- 日期中心（服务器电源等）
- 光伏发电机的功率调节器
- 不间断电源系统
特征
- 较低的R DS（ON） ×Q gd 允许开关电源提高效率
主要规格（@T a = 25℃）
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零件号 |
TK040N65Z |
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包 |
TO-247 |
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绝对 最大额定值 |
漏源电压V DSS （V） |
650 |
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漏极电流（DC）I D （A） |
57 |
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漏源导通电阻R DS（ON） max @V GS = 10V（Ω） |
0.040 |
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总栅极电荷Q g 典型值。（nC） |
105 |
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栅漏电荷Q gd typ。（nC） |
27 |
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输入电容C ISS 典型值。（pF） |
6250 |
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先前的系列（DTMOSⅣ-H）零件编号 |
TK62N60X |
TK040N65Z采用行业标准的TO-247封装，可确保与传统设计的兼容性以及对新项目的适用性。它于今天开始量产，并立即开始发货。