具有低漏电流的80V N通道功率MOSFET

东芝电子设备和存储公司已经使用最新的80V N沟道功率MOSFET扩展了其U-MOS XH系列，该MOSFET采用最新一代工艺设计。膨胀的阵容包括“ TPH2R408QM，”容纳在SOP超前，表面安装型封装，和“ TPN19008QM，”容纳在TSON超前包。

与目前的产品相比，新的80V U-MOS XH产品的漏极-源极导通电阻降低了40％。由于器件结构的优化，它们在漏极-源极导通电阻和栅极电荷特性之间的折衷也得到了改善。

TPH2R408QM和TPN19008QM的功能

参数	TPH2R408QM	TPN19008QM
漏源电压（Vds）	80伏	80伏
漏电流	120A	120A
导通电阻@ Vgs = 6V	3.5毫欧	28毫欧
门控开关充电	28摄氏度	5.5摄氏度
输入电容	5870pF	1020pF
包	标准操作程序	TSON

这些新型MOSFET具有最低的功耗，适用于工业设备中的开关电源，例如在中央和通信基站以及电机控制设备中使用的高效AC-DC转换器，DC-DC转换器等。 。有关TPH2R408QM和TPN19008QM的更多信息，请访问产品页面。