为了提高各种电源电路中的功率密度和效率，Vishay Intertechnology，Inc.推出了其新型SiSF20DN共漏极双n沟道60V MOSFET。该IC采用紧凑的1212-8SCD耐热增强型PowerPAK封装。该公司的权利要求，它的设备的特征，以提供[R S-S（ON）向下至10μm Ω 10伏用3毫米3毫米的足迹。该IC的目标应用可确保提高电池管理系统，插入式和无线充电器，DC / DC转换器，无电源充电器等的功率密度和效率。
SiSF20DN N沟道MOSFET的功能：
- 具有N通道的通用漏极配置
- 漏源电压（V DS）= 60V
- 栅极源电压（V GS）= 20V
- 10V时的漏源电阻（R DS）= 0.0065
- 最大输出功率（P d最大）= 69.4W
- 最大漏极电流（I D）= 52A
- 源极间电阻极低
- 紧凑而耐热的包装
- 优化电路布局以实现双向电流
- 经过100％的Rg和UIS测试
为了节省PCB空间，减少元件数量并简化设计，该器件采用了优化的封装结构，并在公共漏极配置中集成了两个单片集成的TrenchFET Gen IV N沟道MOSFET。由于SiSF20DN源触点的设计，其与PCB的接触面积增加了，电阻率降低了。这种设计使MOSFET可以在24V系统和工业应用，工厂自动化，电动工具，无人机，电机驱动器，白色家电，机器人，安全监控和烟雾报警器中用作双向开关。
SiSF20DN经过100％的Rg和UIS测试，符合RoHS要求，并且不含卤素。新型MOSFET的样品和量产批量现已提供，大宗订单的供货周期为30周。有关SiSF20DN的更多详细信息，请访问官方页面或参考此产品的数据表。