德州仪器（TI）宣布了一种现成可用的600V氮化镓（GaN），50mΩ和70mΩ功率级的新产品组合，可支持高达10 kW的应用。与AC / DC电源，机器人，可再生能源，电网基础设施，电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管（FET）相比，LMG341x系列使设计人员能够创建更小，更高效和更高性能的设计。
TI的GaN FET器件系列通过集成独特的功能和保护功能来简化设计，实现更高的系统可靠性并优化高压电源的性能，从而为传统的级联和独立GaN FET提供了智能替代方案。借助集成的<100 ns电流限制和过热检测功能，这些器件可防止意外的直通事件并防止热失控，而系统接口信号则可实现自我监控功能。
LMG3410R050，LMG3410R070和LMG3411R070的主要功能和优势
•更小，更高效的解决方案： 与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，TI的集成GaN功率级使功率密度加倍，并降低了80％的损耗。每个器件都具有1MHz的快速开关频率和高达100V / ns的转换速率。
•系统可靠性： 该产品组合得到了2000万小时的设备可靠性测试的支持，其中包括加速和应用内硬开关测试。此外，每个器件都提供集成的热和高速100 ns过电流保护，以防止击穿和短路情况。
•适用于各种功率级别的器件： 产品组合中的每个器件均提供50mΩ或70mΩ的GaN FET，驱动器和保护功能，从而为100 W至10 kW以下的应用提供了单芯片解决方案。
封装，可用性和价格
这些器件现已在TI商店中以8mm x 8mm的分体焊盘，四方扁平无铅（QFN）封装提供。LMG3410R050，LMG3410R070和LMG3411R070的千片批购价分别为18.69美元，16.45美元和16.45美元。