JFET是结栅场效应晶体管。普通晶体管是需要电流偏置的电流控制器件，而JFET是电压控制器件。就像MOSFET一样，正如我们在上一教程中看到的那样，JFET具有三个端子Gate，Drain和Source。
JFET是模拟电子产品中精确电平电压控制的重要组件。我们可以将JFET用作压控电阻或开关，甚至可以使用JFET制成放大器。它也是替代BJT的节能版本。JFET提供低功耗和相当低的功耗，从而提高了电路的整体效率。它还提供了很高的输入阻抗，这是优于BJT的主要优势。
FET系列中有不同类型的晶体管，有两种子类型：JFET和MOSFET。我们已经在上一教程中讨论了MOSFET，这里将学习JFET。
JFET的类型
与MOSFET一样，它具有两个子类型-N沟道JFET和P沟道JFET。
上图显示了N沟道JFET和P沟道JFET的原理图模型。箭头表示JFET的类型。显示给栅极的箭头表示JFET是N沟道，另一方面，来自栅极的箭头表示P沟道JFET。此箭头还指示在沟道和栅极之间形成的PN结的极性。有趣的是，这是一个英文助记符，N通道设备的箭头指示“ Points i n ”。
流过漏极和源极的电流取决于施加到栅极端子的电压。对于N沟道JFET，栅极电压为负，而对于P沟道JFET，栅极电压为正。
JFET的建设
在上图中，我们可以看到JFET的基本结构。N沟道JFET由N型衬底中的P型材料组成，而N型材料用于p型衬底中以形成P沟道JFET。
JFET使用半导体材料的长沟道构造。根据构造过程，如果JFET包含大量正电荷载流子（称为空穴），则为P型JFET，如果其具有大量负电荷载流子（称为电子），则称为N型。 JFET。
在半导体材料的长通道中，在两端均形成欧姆接触，以形成源极和漏极连接。PN结形成在沟道的一侧或两侧。
JFET的工作
理解JFET的工作的一个最好的例子是想象花园软管。假设花园软管正在通过其中提供水流。如果我们挤压软管，水流量将会减少，如果完全挤压软管，则在特定点的水流量将为零。JFET正是以这种方式工作的。如果我们将软管与JFET互换，将水流与电流互换，然后构造载流通道，则可以控制电流。
当栅极和源极之间没有电压时，该通道将成为一条平滑的路径，该路径将敞开，以便电子流动。但是相反的情况发生在栅极和源极之间施加极性相反的电压时，这会使PN结反向偏置，并通过增加耗尽层使沟道变窄，并使JFET处于截止或夹断区域。
在下图中，我们可以看到饱和模式和夹断模式，并且我们将能够了解耗尽层变得更宽，电流减小。
如果要关闭JFET，则需要为N型JFET提供一个负栅极至源极电压，表示为V GS。对于P型JFET，我们需要提供正V GS。
JFET仅在耗尽模式下工作，而MOSFET具有耗尽模式和增强模式。
JFET特性曲线
在上图中，JFET通过可变直流电源偏置，这将控制JFET的V GS。我们还在漏极和源极之间施加了电压。使用变量V GS，我们可以绘制JFET的IV曲线。
在上面的IV图像中，对于三个不同的V GS电压值，0V，-2V和-4V ，我们可以看到三个图表。存在三个不同的区域：欧姆，饱和和击穿区域。在欧姆区域中，JFET就像一个压控电阻，其电流由施加在其上的电压控制。之后，JFET进入饱和区域，在该区域曲线几乎是笔直的。这意味着在V DS不会干扰电流的情况下，电流足够稳定。但是，当V DS大于容差时，JFET进入击穿模式，此时电流不受控制。
对于P沟道JFET，该IV曲线也几乎相同，但几乎没有差异。当V GS和夹点电压或（V P）相同时，JFET将进入截止模式。同样如上曲线所示，对于N沟道JFET，当V GS增加时，漏极电流也增加。但是对于P沟道JFET，当V GS增加时，漏极电流减小。
JFET的偏置
使用不同类型的技术以适当的方式偏置JFET。从各种技术中，以下三种被广泛使用：
- 固定直流偏置技术
- 自偏压技术
- 潜在的分频器偏向
固定直流偏置技术
在N沟道JFET的固定DC偏置技术中，JFET的栅极以这样的方式连接：JFET的V GS始终保持为负。由于JFET的输入阻抗非常高，因此在输入信号中没有观察到负载效应。流经电阻器R1的电流保持为零。当我们在输入电容器C1上施加一个交流信号时，该信号就会在栅极上出现。现在，如果按照欧姆定律计算R1两端的电压降，则将为V = I x R或V drop =栅极电流x R1。当流向栅极的电流为0时，跨栅极的压降保持为零。因此，通过这种偏置技术，我们可以通过仅改变固定电压从而改变V GS来控制JFET漏极电流。
自偏压技术
在自偏置技术中，在源极引脚之间添加一个电阻。源极电阻器R2两端的压降产生V GS以偏置电压。在这种技术中，栅极电流再次为零。源电压由相同的欧姆定律V = I x R确定。因此，源电压=漏极电流x源电阻。现在，可以通过栅极电压和源极电压之间的差异确定栅极到源极的电压。
由于栅极电压为0（根据V = IR，栅极电流为0，因此栅极电压=栅极电流x栅极电阻= 0），因此V GS = 0 –栅极电流x源电阻。因此，不需要外部偏置源。偏置是通过使用源电阻两端的压降自行产生的。
潜在的分频器偏向
在这种技术中，使用了一个额外的电阻器，并且电路从自偏置技术进行了稍许修改，使用R1和R2的电位分压器为JFET提供了所需的DC偏置。源电阻两端的压降必须大于电阻分压器的栅极电压。以这种方式，V GS保持负值。
这就是JFET的构造和偏置方式。