具有较小外形尺寸（3.3mm x 3.3mm）和更高功率密度的双极晶体管

Diodes Incorporated通过发布尺寸更小的3.3mm X 3.3mm的NPN和PNP功率双极晶体管扩展了其晶体管系列。这些晶体管可在栅极驱动功率MOSFET和IGBT，线性DC-DC降压稳压器，PNP LDO和负载开关电路中实现更高的功率密度设计，从而有助于需要100V和3A电流的应用。的晶体管采用了紧凑PowerDI3333表面安装封装。

两种新晶体管DXTN07xxxxFG（NPN）和DXTP07xxxxFG（PNP）的PCB空间比以前的SOT223晶体管少70％。新型PowerDI3333封装具有特色的可湿润侧面，可提高PCB产量。这些晶体管将有助于提高焊接速度和自动光学检查（AOI）。这将消除X射线检查的需要。该晶体管将以更高的热效率封装提供类似的功耗。

DXTN07xxxxFG（NPN）和DXTP07xxxxFG（PNP）的规格为：

• V _CEO = 25V-100V
• 功耗= 2W
• 温度范围=最高+175 ⁰ C
• 尺寸= 3.3mm x 3.3mm x 0.8mm

全系列DXTN07xxxxFG和DXTP07xxxxFG器件的商业样品将于2019年第一季度末提供。该晶体管的千片批购价为每片0.19美元。