东芝电子设备和存储公司已经推出了两款新的100V N沟道功率MOSFET即XPH4R10ANB和 XPH6R30ANB。这些是东芝首款采用紧凑 SOP Advance（WF）封装的100V N沟道功率MOSFET，用于汽车应用。低导通电阻XPH4R10ANB的漏极电流为70A，而XPH6R30ANB的漏极电流为45A。可润湿的侧面端子结构提高了封装的可靠性，因为当安装在电路板上时，它可以自动进行外观检查。这些MOSFET的低导通电阻有助于降低功耗，而XPH4R10ANB具有业界领先的低导通电阻。
XPH4R10ANB和XPH6R30ANB功率MOSFET的功能
- 东芝首款用于汽车应用的100V产品，采用小型表面贴装SOP Advance（WF）封装
- 在175°C的通道温度下运行
- 低导通电阻：
R DS（ON） =4.1mΩ（最大值）@V GS = 10V（XPH4R10ANB）
R DS（ON） =6.3mΩ（最大值）@V GS = 10V（XPH6R30ANB）
- 符合AEC-Q101
- 具有可润湿侧面终端结构的SOP Advance（WF）封装
这些MOSFET可用于汽车设备中，例如电源（DC / DC转换器）和LED大灯等（电机驱动器，开关调节器和负载开关）。有关XPH4R10ANB和XPH6R30ANB的更多详细信息，请访问东芝电子设备和存储公司官方网站上的相应产品页面。