UnitedSiC在其基于先进第4代技术的UJ4C SiC FET系列下推出了四款新器件。这些750V SiC FET可实现新的性能水平，提高成本效益，热效率和设计余量。新型FET适用于汽车，工业充电，电信整流器，数据中心PFC，DC-DC转换以及可再生能源和能量存储等高增长功率应用。
这些第四代SiC FET具有较高的FoM，并具有降低的单位面积导通电阻和较低的固有电容。第4代FET的RDS（on）x EOSS（mohm-uJ）最低，从而降低了硬开关应用中的导通和关断损耗。另一方面，在软开关应用中，这些FET的低RDS（on）x Coss（tr）（mohm-nF）规格可提供较低的传导损耗和较高的频率。
无论在冷（25C）还是热（125C）下运行，这些新器件都超过了现有的竞争SiC MOSFET性能，并提供最低的集成二极管V F 和出色的反向恢复能力，从而降低了空载时间损耗并提高了效率。这些FET提供了更多的设计人员净空空间和减少的设计约束，其更高的VDS额定值使其适合用于400 / 500V总线电压应用。第四代FET提供兼容的+/- 20V，5V Vth的栅极驱动器，并可以用0至+ 12V的栅极电压驱动，这意味着这些FET可以与现有的SiC MOSFET，Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器一起工作。
所有器件均可从授权分销商处获得，新型750V Gen 4 SiC FET的价格（1000片起，美国离岸价）从UJ4C075060K3S的3.57美元到UJ4C075018K4S的7.20美元不等。