Nexperia推出了具有120 V，150 V和200 V反向电压的新型硅锗（SiGe）整流器系列，可提供其肖特基二极管的高效率以及快速恢复二极管的热稳定性。这些新设备旨在在汽车，通信基础设施和服务器市场上运行。
通过使用新型极低泄漏的1-3A SiGe整流器，设计工程师可以依靠扩展的安全工作区域，在LED照明，发动机控制单元或燃油喷射等高温应用中，没有高达175度的热失控。他们还可以优化设计以获得更高的效率，而在这种高温设计中通常使用快速恢复二极管是不可行的。当提高低正向电压（V f）和低Q rr时，SiGe整流器可以降低10-20％的传导损耗。
PMEG SiGe器件封装在具有固态铜夹的尺寸小巧，热效率高的CFP3和CFP5封装中，以降低热阻并优化热量向周围环境的传递，从而实现小巧紧凑的PCB设计。切换到SiGe技术时，可以简单地用引脚对引脚替换肖特基二极管和快速恢复二极管。