英飞凌发布了新的40V MOSFET OptiMOS 6系列，该系列针对服务器，台式机，无线充电器，快速充电器和ORing电路的SMPS中的同步整流进行了优化。新发布的MOSFET基于英飞凌的薄晶圆技术，该技术具有显着的性能优势，并且覆盖了宽电压范围，可用于SMPS应用。它是在宽范围输出功率上进行效率优化的理想选择，避免了在低负载和高负载条件之间进行权衡。
所述的OptiMOS 6功率MOSFET提供30％的状态的电阻和改进的优点的图降低（Q克个R DS（ON）了29％和Q下GD个R DS（ON）由46下降百分比）相比，它的以前的版本。由于具有出色的开关性能，OptiMOS 6在低输出功率水平上优于上一代产品。尽管R DS（导通）损耗更大，但OptiMOS 6 MOSFET仍可以在更高的输出电平下工作。
OptiMOS 6 40V功率MOSFET系列的样品有两种封装：
- SuperSO8，5 mm x 6 mm，R DS（on）范围从5.9mΩ降至0.7
- PQFN 3x3，3.3 mm x 3.3 mm，R DS（on）范围从6.3mΩ到1.8mΩ。