Mouser Electronics现在可以提供德州仪器(TI)的LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI行业领先的氮化镓(GaN)电源产品家族的一部分,与传统的基于硅的替代产品相比,它具有更高的效率,更高的功率密度和更小的整体系统尺寸,并且特别针对速度关键型电源转换应用进行了优化。
TI LMG1210是一款50MHz半桥驱动器,旨在与高达200V的增强模式GaN FET配合使用。LMG1210专为实现最佳性能和高效运行而设计,具有10 ns的超快速传播延迟,这比传统的硅半桥驱动器要快。该器件还提供了1 pF的低开关节点电容,并具有用户可调节的空载时间控制,通过允许设计人员优化其系统内的空载时间来帮助提高效率。
LMG1210提供3.4ns的高侧到低侧延迟匹配,最小4ns的脉冲宽度以及一个内部LDO,无论电源电压如何,该LDO都能确保5V的栅极驱动电压。该驱动器还包括超过300 V / ns的共模瞬变抗扰度(CMTI),这是业内最高的瞬态抗扰度,可实现高系统噪声抗扰度。
TI的LMG1210驱动器非常适合广泛的应用,包括高速DC / DC转换器,电机控制,D类音频放大器,E类无线充电,RF包络跟踪以及其他电源转换应用。
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