当您要设计双极晶体管电路时，您需要知道如何对其偏置。偏置是以特定的方式向晶体管供电，以使晶体管按照您希望的方式运行。放大器主要分为五类-A类，B类，AB类，C类和D类。在本文中，我们将重点介绍为线性音频A类放大器工作在通用发射极配置下偏置晶体管，线性意味着输出信号与输入信号相同，但被放大。
基础
为了使常规的硅晶体管工作在有源模式下（用于大多数放大器电路），其基极必须连接至比发射极高至少0.7V的电压（对于硅器件）。施加此电压后，晶体管导通，集电极电流开始流动，集电极和发射极之间的压降为0.2V至0.5V。在活动模式下，集电极电流大约等于基极电流乘以晶体管的电流增益（hfe，β）。
Ib = Ic / hfe Ic = Ib * hfe
在PNP晶体管中，此过程是相反的，当向其基极施加一定电压时，它将停止导通。在此处了解有关NPN晶体管和PNP晶体管的更多信息。
固定偏差
偏置BJT的最简单方法如下图所示，R1提供基极偏置，输出通过隔直电容在R2和集电极之间获取，而输入通过隔直电容馈入基极。此配置仅应在简单的前置放大器中使用，绝不能在功率输出级使用，尤其是使用扬声器代替R2时。
要偏置晶体管，我们需要知道电源电压（Ucc），基极-发射极电压（Ube，硅为0.7V，锗晶体管为0.3V），所需的基极电流（Ib）或集电极电流（Ic）以及晶体管的电流增益（hfe，β）。
R1 =（Ucc-宇部）/ Ib R1 =（Ucc-宇部）/（Ic / hfe）
通过将电源电压除以集电极电流，可以估算出最佳增益和失真的R2值。具有R2值的放大器增益很高，接近晶体管的电流增益值（hfe，β）。向扬声器或下一个放大级等输出增加负载后，由于R2，输出电压将下降，并且负载将充当分压器。建议下一级的负载阻抗或输入阻抗至少为R2的4倍。耦合电容器应在最低工作频率下提供小于1/8的负载阻抗或下一级的输入阻抗。
分压器偏置/自偏置
下图是使用最广泛的偏置配置，它是温度稳定的，并具有非常好的增益和线性度。在射频放大器中，R3可以用射频扼流圈代替。除了单个基极电阻（R1）和集电极电阻（R3），我们还有一个附加基极电阻（R2）和发射极电阻（R4）。 R1和R2形成一个分压器，并与R4上的压降一起设置为电路的基极电压（Ub）。由于要考虑的组件和变量更多，因此计算更加复杂。
首先，我们开始计算基极分压器的电阻比，其公式如下所示。要开始计算，我们需要估算集电极电流以及电阻R2和R4的值。可以计算出电阻R4在所需的集电极电流下下降0.5V至2V，并且将R2设置为比R4大10至20倍。对于前置放大器，R4通常在1k-2k欧姆范围内。
非去耦R4会引起负反馈，从而降低增益，同时减少失真并改善线性度。将其与电容器去耦会增加增益，因此建议串联使用带小电阻的大容量电容器。