Diodes Incorporated推出了DMT47M2LDVQ 兼容汽车的40V双MOSFET，采用3.3mm x 3.3mm封装，用于汽车系统。它巧妙地集成了两个具有最低R DS（ON） （在 10V的V GS和 30.2A的I D时为10.9mΩ）的n沟道增强模式MOSFET 。
低导通电阻有助于在无线充电或电机控制等应用中将损耗降至最低。此外，借助典型的14.0nC栅极电荷 ，10V的GS和20A的ID可以将开关损耗降至最低。
该器件具有高效热效率的PowerDI 3333-8封装，其结至外壳的热阻（R thjc）为8.43°C / W，因此，与单独封装的MOSFET相比，能够开发出具有更高功率密度的最终应用。此外，用于实现包括ADAS在内的汽车功能所需的PCB面积也减少了。
DMT47M2LDVQ双MOSFET的关键特性
- 切换速度快
- 100％非钳位电感式开关
- 转换效率高
- 低RDS（ON），可将通态损耗降至最低
- RDS（ON）：VGS为10V且ID为30.2A时为10.9mΩ
- 低输入电容
- 两种N通道增强模式
- 高效的PowerDI 3333-8封装
从电动座椅控制到高级驾驶员辅助系统（ADAS），DMT47M2LDVQ双MOSFET可以减少许多汽车应用中的电路板空间。千片批购价为0.45美元。