Diodes Incorporated宣布推出采用DFN2020封装的40V级DMTH4008LFDFWQ和60V级DMTH6016LFDFWQ 汽车级MOSFET。这些微型MOSFET仅占据SOT223等较大封装的PCB面积的10％，从而在DC-DC转换器，LED背光，ADAS和其他“引擎盖”汽车应用中实现了更高的功率密度。
该DMTH4008LFDFWQ具有11.5mΩ在VGS = 10V和栅极电荷QG典型RDS（ON），只是14.2nC的。该DMTH6016LFDFWQ具有13.8mΩ在VGS = 10V和15.2nC的的Qg典型RDS（ON）。同样，两种器件均符合175°C的标准，并封装在侧壁镀DFN2020中，使其适合在高环境温度的环境中使用。
当用于典型应用时，例如12V，5A降压转换器，DMTH4008LFDFWQ的功耗比同类竞争MOSFET少20％。效率的这一显着提高为汽车设计人员提供了更大的灵活性，并为在新的或现有汽车应用中增加功率密度提供了自由。
该DMTH4008LFDFWQ和DMTH6016LFDFWQ的MOSFET 是汽车，符合AEC-Q101，并通过PPAP对完整的可追溯性支持。